由于IGBT的優(yōu)良性能和市場需求的旺盛,它的發(fā)展十分迅速，IGBT自80年代后期投人市場以來，產品已經系列化，模塊化，容量不斷提高。
  以西門子的產品為例，已經有600V和1200V1700V和3300V四個電壓等級的系列產品。
一單元模塊:1200V的達到2400A，1700V的達到1800A，3300V的達到1200A。
兩單元摸塊：1200V的達到800A，1700V的達到600A，3300V的達到400A，
六單元模塊：1200V的達到100-400A，1700V的達到75-300A。
IGBT的主要參數與基本特性：
  通常IGBT的使用手冊給出如下的幾個主要參數.
1、集電極發(fā)射極額定電壓Uces，這個電壓值是廠家根據器件的雪崩擊穿電壓而規(guī)定的,是柵極-發(fā)射極短路時IGBT能承受的耐壓值,也就是說Uces值小于等于雪崩擊穿電壓。
2、柵極-發(fā)射極額定電壓 Uges， IGBT是電壓控制器件,靠加到柵極的電壓信號控制IGBT的導通和關斷,而Uges就是柵極控制信號的電壓額定值。目前,IGBT的Uges值大部分為+20V,在使用中,設計的控制電壓值不能超過該值。
3、額定集電極電流Ic，該參數給出了IGBT在導通時能流過管子的持續(xù)最大電流。
4、集電極-發(fā)射極飽和電壓Uce（sat),此參數給出IGBT在正常飽和導通時集電極-發(fā)射極之間的電壓降,此值越小,管子的功率損耗越小。IGBT模塊的Uce(值約為2.5~3.5V）。
5、開關頻率，在IGBT的使用手冊中,開關頻率是以導通時間ton、下降時間tt和關斷時間toff給出的,根據這些參數可估計IGBT的開關頻率。IGBT實際工作頻率都在100KHZ以下。因此，開關頻率高也是IGBT的一個優(yōu)點。